扬贺扬 P-NOR
相关结果约39条存储器厂商扬贺扬授权世强硬创代理,P-NOR产品擦写次数可达20万次
得益于人工智能的高速发展,给AI服务器带来存储芯片新的增量需求。在此背景下,国内闪存控制芯片专家——南京扬贺扬微电子科技有限公司(下称“扬贺扬”)与世强先进(深圳)科技股份有限公司(下称“世强先进”)签订授权代理协议。 资料显示,扬贺扬是一家国内领先的IC设计公司,主要致力于各型闪存控制芯片的设计研发,其主营产品包括SPI NAND、PPI NAND、eMMC、DDR3、DDR4等,以及各类快闪
和阳泰克公司简介
南京扬贺扬微电子科技有限公司(HeYangTek Co., Ltd.)成立于2016年,专注于存储芯片的设计研发。公司拥有自主知识产权的设计能力,涵盖SLC NAND wafer、SPI、EMMC和P-NOR控制器设计。公司产品包括NAND Flash、DRAM等,应用于通信、安全监控、工业和消费领域。公司合作伙伴包括中兴微、瑞昱、联发科等。
扬贺扬 - 不明飞行物,固态硬盘,3D NAND TLC闪存,MLC NAND闪存,NAND闪存,NOR闪存,QLC NAND闪存,SLC NAND闪存,SPI和,标清NAND,3D NAND TLC FLASH,DRAM,EMMC,MLC NAND FLASH,NAND FLASH,NOR FLASH,PPI NAND,QLC NAND FLASH,SD NAND,SLC NAND FLASH,SPI NAND,SSD,UFS,产业,人工智能摄像机,储能,安全监视器,工控机,开关,数字录像机,汽车,消费者,通讯,EDR公司,GPON公司,NVR公司,10GPON,AI CAMERA,AUTOMOTIVES,COMMUNICATION,CONSUMER,DVR,EDR,GPON,INDUSTRY,IPC,NVR,PCS,PCS,ROUTER WIFI6,ROUTER WIFI6,SECURITY MONITOR,SWITCH
广告 发布时间 : 2025-01-06
P-NOR存储芯片在文字显示上的应用——扬贺扬HY25QxxxPACA存放代码和字库的使用方法
本文扬贺扬针对那些原先采用SPI NOR作为字库存储芯片的应用,在容量扩大到256Mb~2Gb时,P-NOR作为一个最佳的替代者,保持大容量的同时也确保成本最优化。本文中将以扬贺扬P-NOR存储芯片HY25QxxxPACA(HY25QxGBPACA)为例,进行具体的替代使用说明。
扬贺扬大容量P-NOR存储类芯片,提供256Mb/512Mb/1Gb/2Gb多种容量选择
针对日益增长的数据存储需求,扬贺扬推出一系列基于自研Apollo3芯片的SPI类型接口的大容量存储产品Pseudo NOR。传统字节型非易失闪存产品容量越大擦除时间越长达到以秒为单位计算,扬贺扬P-NOR为此提供一种新的解决方案。
HYD8G16V4BA-B9A商用DDR4 8GB SDRAM
该资料详细介绍了HYD8G16V4BA-B9A型号的商业DDR4 8Gb SDRAM的特性、功能描述、寄存器定义和操作流程。内容包括数据完整性、信号完整性、功耗与效率、可靠性错误处理、可编程功能和不同封装类型的球位配置。
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扬贺扬新一代16nm NAND Flash存储芯片斩获2024年“中国芯”“芯火”新锐产品称号
经无锡国家“芯火”双创基地(平台)推荐,江苏扬贺扬微电子科技有限公司(以下简称“扬贺扬”)自主研发设计的新一代16nm NAND Flash存储芯片斩获2024年“中国芯”“芯火”新锐产品称号!扬贺扬新一代16nm NAND Flash存储芯片产品性能可靠性达到车规级水平,具备高达10万次的擦写周期,在-40℃至125℃的工况温度下性能稳定,使用寿命长达20年。
HYE16GUECDF工业级eMMC(eMMC 5.1 HS400)规格书
本资料为YHY电子有限公司生产的HYE16GUECDF型号eMMC 5.1 HS400存储器数据手册。该产品符合eMMC规范版本4.4、4.41、4.5、5.0、5.1,支持高速eMMC协议,具有高传输速率、低功耗等特点。
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喜讯——新一代16nm车规级NAND Flash存储芯片顺利流片
江苏扬贺扬微电子科技有限公司自主研发设计的新一代16nm NAND Flash存储芯片顺利流片,产品性能可靠性达到车规级水平,具备高达10万次的擦写周期,在-40℃至125℃的工况温度下性能稳定,使用寿命长达20年。
HYF8GQ4UACCAE HY SPI 8G串行外设接口(SPI)NAND闪存
本资料介绍了HY SPI 8G串行外设接口(SPI)NAND闪存芯片。该芯片支持标准双倍速和四倍速SPI模式,具备软件/硬件写保护功能,适用于高密度非易失性存储解决方案。
扬贺扬 - SLC NAND闪存设备,SPI和闪存,串行外设接口NAND FLASH,SERIAL PERIPHERAL INTERFACE NAND FLASH,SLC NAND FLASH MEMORY DEVICE,SPI NAND FLASH,HYF8GQ4UACCAE,嵌入式系统,高密度非易失性存储器存储,EMBEDDED SYSTEMS,HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY STORAGE
HYD4G16V4BA-B9A商用和工业DDR4 4GB SDRAM
该资料详细介绍了HYD4G16V4BA-B9A商业和工业级DDR4 4Gb SDRAM的特性、功能和应用。它涵盖了数据完整性、信号完整性、访问带宽、同步信号、节能与效率、可靠性与错误处理等方面,并提供了编程功能和封装信息。
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HYF1GQ4UTACAE HYF1GQ4UTDCAE HYF1GQ4UTECAE HY SPI 1G串行外设接口(SPI)NAND闪存
本资料介绍了HY SPI 1Gb系列串行外围接口(SPI)NAND闪存的特点、功能和应用。该产品支持标准双倍速和四倍速SPI,具有高密度非易失性存储解决方案的低成本和低引脚计数优势。它基于标准的并行NAND闪存,采用串行电接口,命令集类似于SPI-NOR,但进行了修改以处理NAND特定功能和添加新特性。
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